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    • 所属分类:磁控溅射
    • 浏览次数:
    • 发布日期:2022-10-03 15:37:21
    • 产品概述
    • 性能特点
    • 技术参数

    设备用途:

    JGP-560型双室磁控溅射系统用于纳米级单层及多层功能膜、 硬质膜、 金属膜、 半导体膜、 介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、 科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

    设备组成:

    主要由主溅射真空室、 磁控溅射靶、 基片水冷加热台、 进样室、 样品库、 退火炉、 反溅靶、磁力送样机构、 工作气路、 抽气系统、 安装机台、 真空测量及电控系统等部分组成。

    技术指标(以下技术指标均可根据客户要求进行改变):

    1、采用单室立式前开门立式结构,换样进样操作方便,不锈钢材料和真空材料。

    2、极限真空度:溅射室极限真空度≤5×10-5Pa; 抽速:当一次试验完成后,在真空状态下,关闭分子泵上方的闸板阀(此时分子泵正常工作),对真空室冲入干燥氮气至一个大气压后(前开门处于关闭状态)停止充气,采用旁抽阀门和管路对真空室抽真空,当达到10Pa或者更高时,打开分子泵上方的闸板阀,关闭旁抽阀,100min后,工作真空度可达到:5×10-4Pa; 压升率:停泵关机12小时后真空度≤10Pa; 系统漏率:5×10-7PaL/S; 真空机组采用国产分子泵+国产机械泵抽气系统。

    3、磁控靶及电源:3英寸磁控靶3个,其中两个为标准磁场磁控靶,一个为强磁场磁控靶。磁控靶即可直流也可射频;RF电源一台,功率600w,13.56MHz,自动匹配;DC两台,功率500w;当直溅射镀镀制多层膜时,靶与样品之间的距离为40mm~120mm

    4、样品台:样品台Z 高的加温温度为500℃,程序控温;升温速率、恒温时间可控;

    5、膜厚要求:Cu、Al膜的厚度为4~5微米,Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1~2微米时,在2英寸范围内,膜的厚度均匀性在5%以内。

    6、附着力要求:薄膜与玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附着力能够承受3次胶带拉伸试验,薄膜没有被破坏。

    7、样品具有反溅射功能,可对样品进行镀前预清洗。

    8、设备配有阳极层离子源,可对样品进行清洗,同时,可在镀膜时,对样品进行辅助沉积。

    9、工艺气体:工作气路2路:独立质量流量控制器2路,用于反应气体进气和氩气气路,采用质量流量计;具有混气功能;腔内气压可测可调可控。

    10、溅射室烘烤照明:采用红外加热除气方式,烘烤温度:150℃。

    11、真空室内有衬板,避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。(在后面表格体现)

    12、设备具有断水断电连锁保护功能,有防止误操作保护功能。

    13、系统采用计算机控制膜制备过程,整个镀膜过程可在电脑界面上操作,程序控制切换靶材;镀膜过程由计算机软件系统控制完成,包括计算机硬件、软件等,可控制靶挡板、样品转动、样品控温等。

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